Grundlagen der Photolithographie und Trockenätzverfahren
Dieser Kurs vermittelt am Beispiel eines „Lift-off“-Prozesses und anschließender Trockenätzung die Prinzipien der Herstellung und anschließende Charakterisierung von Silizium-Bauelementen für elektronische und mikromechanische (MEMS) Anwendungen. Eigene Proben werden hergestellt, strukturiert und charakterisiert.
Teilnehmer
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Termine
28.01. und 29.01.2014, jeweils 9:00 - 13:00 Uhr
Inhalte
Tag 1: Dienstag, 28.01.2014
9:00 – 10:00 Uhr: Vortrag: Grundlagen der Photolithographie
Optische Lithographie (Photolithographie) ist die erste und früheste Mikrofabrikations-Technologie die von der Halbleiter-Industrie seit den 60er Jahren eingesetzt wird. Der Vortrag stellt die Grundlagen dieser Technologie dar.
10:00 – 13:00 Uhr: Arbeiten im Reinraum
Mittels Photolithographie wird im so genannten „Lift-off“-Verfahren auf Silizium eine metallische, mikrostrukturierte Hartmaske für das spätere Trockenätzen hergestellt.
Tag 2: Mittwoch, 29.01.2014
9:00 – 10:00 Uhr: Vortrag: Trockenätzverfahren – Grundlagen
Plasmaunterstützte Prozesse haben in vielen Technologieabläufen eine hohe Bedeutung. Plasmaprozesse werden zur Reinigung und Beschichtung von Oberflächen und zur Oberflächenstrukturierung angewendet. Im Vortrag werden die Grundlagen des Plasmaätzens erläutert.
10:00 – 13:00 Uhr: Trockenätzen und Strukturanalyse
Die im ersten Teil des Praktikums hergestellte Struktur wird durch Plasmaätzen in das Silizium-Substrat übertragen. Oberflächenprofilometrie wird zur Analyse der Ätztiefe und Mikroskopie zur Analyse der Strukturen eingesetzt.
Kontakt:
Julia Hettesheimer
Institut für Oberflächen- und Schichtanalyse GmbH, Kaiserslautern
(Institute for Surface and Thin Film Analysis) IFOS
hettesheimer(at)ifos.uni-kl.de, Fax: 0631-20573-3003